STDRIVE™用于MOSFET和IGBT栅极驱动器

今天我们来了解STDRIVE™用于MOSFET和IGBT栅极驱动器L638和L639系列

 

 

      它具有双通道高压半桥栅极驱动器的工作电压高达600v，电流能力范围在400mA至650mA之间，可为高侧和低侧MOSFET和IGBT提供所有必要的功能。它们集成了一个自举二极管可调死区时间和互锁功能，能够避免两个功率开关同时导通，可用于自保护设备的智能关断功能电流检测比较器和运算放大器。这样就可以实现磁场定向控制，无需分散的外部解决方案。这种集成减少了PCB板的零件数量，也增加了布局的灵活性。

 

 

它简化了各种电机应用，如工程自动化、工业驱动、家用电器、感应加热、暖通空调、照明应用和风扇的控制系统设计。

 

 

       L649系列高压半桥升级驱动器能够在高达600v的电压下工作，并且具有高电流驱动能力，可实现4A的拉电流、灌电流，它具有集成的自举二极管智能关断功能，可用于故障保护的比较器，可调死区时间和互锁功能，其稳健性极好，这使其成为家用电器电源装置工厂自动化HID镇流器，无线充电器和工业逆变器的电机驱动器的理想选择。

 

 

      STGAPIAS磁隔离是单通道升级驱动器，具有5A的拉电流灌电流驱动器电流能力以及高达1500伏的高压轨适用于汽车应用。它可实现更好的稳定性，噪声抗扰性和更好的稳定性、噪声抗扰性和设计灵活性。具有包括Miller钳位、去饱和检测、过电流检测专用感应引脚输出两节电瓶关断和VCE过压保护等保护功能，可轻松设计高可靠性系统，存在漏极开路，诊断输出，可通过SPI监控详细的器件状态，每个功能的参数都可以通过SPI接口进行编程，使得该设备非常灵活，可以适应各种应用。

 

该器件的高电流能力使其具有很大的应用范围，包括电动车辆、600V和1200V特逆变器等工业应用，运动控制系统、电源转换应用以及太阳能逆变器。具体详情规格书，可在ST官网查找。